Технические характеристики GBU810
Технические спецификации SMC Diode Solutions - GBU810, атрибуты, параметры и части с аналогичными спецификациями SMC Diode Solutions - GBU810
| Свойства продукта | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| производитель | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| Напряжение - Пиковое обратное (Макс) | 1 kV | |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 8 A | |
| Технологии | Standard | |
| Поставщик Упаковка устройства | GBU | |
| Серии | - | |
| Упаковка / | 4-ESIP |
| Свойства продукта | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Упаковка | Tube | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип установки | Through Hole | |
| Диод Тип | Single Phase | |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 8 A | |
| Базовый номер продукта | GBU810 |
Три части справа имеют те же характеристики, что и SMC Diode Solutions GBU810.
| Свойства продукта |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| Тип продуктов | GBU810 | GBU806 | GBU806 | GBU808 |
| производитель | SMC Diode Solutions | SMC Diode Solutions | Diodes Incorporated | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| Поставщик Упаковка устройства | GBU | GBU | GBU | GBU |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 800 V |
| Упаковка | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 8 A | 1.1 V @ 8 A | 1 V @ 4 A | 1 V @ 4 A |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 8 A | 8 A | 8 A | 8 A |
| Базовый номер продукта | GBU810 | GBU806 | GBU806 | - |
| Упаковка / | 4-ESIP | 4-ESIP | 4-SIP, GBU | 4-ESIP, GBU |
| Напряжение - Пиковое обратное (Макс) | 1 kV | 600 V | 600 V | 800 V |
| Технологии | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Тип установки | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Серии | - | - | - | - |
| Диод Тип | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
Загрузите таблицы данных GBU810 PDF и документацию SMC Diode Solutions для GBU810 - SMC Diode Solutions.
GBU806SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
GBU8D-E3/72Electro-Films (EFI) / VishayGBU806Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
GBU806-TULITEONGBU808Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 8A GBUGBU808SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBU
GBU806Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBU
GBU8K-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.9A GBUGBU810Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBUGBU8J-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBUGBU8J-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBUGBU806Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 8A GBUGBU810Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 8A GBUGBU808Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBU
GBU8J-BPMicro Commercial CoBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBUGBU810_HFLITEON
GBU806HY Electronic (Cayman) LimitedGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIEGBU807Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU| Ссылка на логистическое время общих стран | ||
|---|---|---|
| Область | Страна | Логистическое время (день) |
| Америка | Соединенные Штаты | 5 |
| Бразилия | 7 | |
| Европа | Германия | 5 |
| Великобритания | 4 | |
| Италия | 5 | |
| Океания | Австралия | 6 |
| Новая Зеландия | 5 | |
| Азия | Индия | 4 |
| Япония | 4 | |
| Средний Восток | Израиль | 6 |
| Ссылка на отправку DHL & FedEx. | |
|---|---|
| Расходы на доставку (кг) | Справочный DHL (USD $) |
| 0,00 кг-1,00 кг | $ 30,00 долл. США - $ 60,00 долл. США |
| 1,00 кг-2,00 кг | 40,00 долл. США - $ 80,00 долл. США |
| 2,00 кг-3,00 кг | $ 50,00 долл. США - $ 100,00 долл. США |
Хотите лучшую цену? добавьте в CART и отправлять RFQ , мы немедленно свяжемся с вами.