Технические характеристики PZM8.2NB2,115
Технические спецификации NXP USA Inc. - PZM8.2NB2,115, атрибуты, параметры и части с аналогичными спецификациями NXP USA Inc. - PZM8.2NB2,115
| Свойства продукта | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| производитель | NXP Semiconductors | |
| Напряжение - Изоляция | 10 Ohm | |
| Напряжение - Разбивка | SMT3; MPAK | |
| Серии | - | |
| Статус RoHS | Tape & Reel (TR) | |
| Мощность - Макс | 300mW | |
| поляризация | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Другие названия | 934046200115 PZM8.2NB2 T/R PZM8.2NB2 T/R-ND |
|
| Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C |
| Свойства продукта | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Тип установки | Surface Mount | |
| Уровень влажности (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Номер детали производителя | PZM8.2NB2,115 | |
| Сопротивление (Макс) (ZZT) | 8.2V | |
| Расширенное описание | Zener Diode 300mW ±2% Surface Mount SMT3; MPAK | |
| ESR (эквивалентное последовательное сопротивление) | ±2% | |
| Диод Конфигурация | 700nA @ 5V | |
| Описание | DIODE ZENER 8.2V 300MW SMT3 | |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 1.1V @ 100mA |
Три части справа имеют те же характеристики, что и NXP USA Inc. PZM8.2NB2,115.
| Свойства продукта |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| Тип продуктов | PZM8.2NB2,115 | PZM6.8NB2A,115 | PZM8.2NB3 | PZM8.2NB 8.2V |
| производитель | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | LUMILEDS | LUMILEDS |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 1.1V @ 100mA | 1.1V @ 100mA | - | - |
| поляризация | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | - |
| Серии | - | - | - | - |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C | - | - | - |
| Расширенное описание | Zener Diode 300mW ±2% Surface Mount SMT3; MPAK | Zener Diode 220mW ±2% Surface Mount SMT3; MPAK | - | - |
| Мощность - Макс | 300mW | 220mW | - | - |
| Напряжение - Изоляция | 10 Ohm | 15 Ohm | - | - |
| Напряжение - Разбивка | SMT3; MPAK | SMT3; MPAK | - | - |
| ESR (эквивалентное последовательное сопротивление) | ±2% | ±2% | - | - |
| Диод Конфигурация | 700nA @ 5V | 2µA @ 3.5V | - | - |
| Сопротивление (Макс) (ZZT) | 8.2V | 6.8V | - | - |
| Описание | DIODE ZENER 8.2V 300MW SMT3 | DIODE ZENER 6.8V 220MW SMT3 | - | - |
| Статус RoHS | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| Номер детали производителя | PZM8.2NB2,115 | PZM6.8NB2A,115 | - | - |
| Уровень влажности (MSL) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | - | - |
| Тип установки | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| Другие названия | 934046200115 PZM8.2NB2 T/R PZM8.2NB2 T/R-ND |
934055620115 PZM6.8NB2A T/R PZM6.8NB2A T/R-ND |
- | - |
Загрузите таблицы данных PZM8.2NB2,115 PDF и документацию NXP USA Inc. для PZM8.2NB2,115 - NXP USA Inc..
PZM8.2NB3LUMILEDSPZM8.2NB 8.2VLUMILEDSPZM6.8NBLUMILEDSPZM8.2NB2115Freescale / NXP SemiconductorsPZM7.5NB2Freescale / NXP SemiconductorsPZM8.2NB2Freescale / NXP SemiconductorsPZM9.1NB3(9.1V)Freescale / NXP SemiconductorsPZM6.2NBFreescale / NXP SemiconductorsPZM9.1NBFreescale / NXP SemiconductorsPZM6.2NB2ANEXPPZM9.1NB2Freescale / NXP SemiconductorsPZM7.5NB2(7.5V)Freescale / NXP SemiconductorsPZM7.5NB3LUMILEDSPZM5.6NB3LUMILEDSPZM9.1NB2AFreescale / NXP SemiconductorsPZM9.1NB3Freescale / NXP SemiconductorsPZM6.8NB2A,115NXP USA Inc.DIODE ZENER 6.8V 220MW SMT3PZM9.1NB2/23-9.1VFreescale / NXP Semiconductors| Ссылка на логистическое время общих стран | ||
|---|---|---|
| Область | Страна | Логистическое время (день) |
| Америка | Соединенные Штаты | 5 |
| Бразилия | 7 | |
| Европа | Германия | 5 |
| Великобритания | 4 | |
| Италия | 5 | |
| Океания | Австралия | 6 |
| Новая Зеландия | 5 | |
| Азия | Индия | 4 |
| Япония | 4 | |
| Средний Восток | Израиль | 6 |
| Ссылка на отправку DHL & FedEx. | |
|---|---|
| Расходы на доставку (кг) | Справочный DHL (USD $) |
| 0,00 кг-1,00 кг | $ 30,00 долл. США - $ 60,00 долл. США |
| 1,00 кг-2,00 кг | 40,00 долл. США - $ 80,00 долл. США |
| 2,00 кг-3,00 кг | $ 50,00 долл. США - $ 100,00 долл. США |
Хотите лучшую цену? добавьте в CART и отправлять RFQ , мы немедленно свяжемся с вами.