на 2024/11/20 40

2N2369 Переключение транзистора: разгона, альтернативы и спецификации

В этой статье рассматривается транзистор 2N2369, известный своей высокоскоростной производительностью и надежностью в переключении электроники.Мы рассмотрим его конфигурацию PIN -кода, подробные спецификации и различные приложения.Обсуждение также включает в себя альтернативные транзисторы и идеи производителей, улучшая наше понимание того, как 2N2369 взаимодействует с другими электронными компонентами и влияет на технологические достижения.

Каталог

Что такое транзистор 2N2369?

А 2N2369 Transistor-это кремниевое планарное эпитаксиальное устройство NPN, которое восхищается благодаря своей способности выполнять быстрые действия по переключению с низким напряжением насыщения и эффективную динамику отключения.Его инженерия делает его полезным в контекстах, где сохранение энергии и достижения быстрой работы востребованы в ряде электронных цепей.Выдающимся атрибутом транзистора 2N2369 является его мастерство в выполнении высокоскоростной переключения.Эта функция находит свою сущность в таких приложениях, как усилители импульсов, где быстрые переходы между состояниями вводят жизнеспособность.Гармоничная сочетание скорости и эффективности в одном компоненте представила инженерную головоломку, однако этот транзистор изящно сочетает эти признаки.

Низкое насыщение 2N2369 ограничивает потери мощности во время работы, которая легко вписывается в системы, которые охватывают энергоэффективность.Эта черта облегчает продолжительное продолжительность жизни устройства и облегчает тепловое напряжение в цепях, благо, часто ценится в практических развертываниях, требующих энергетической чувствительности.Характеристика быстрого отключения повышает способность транзистора для высокочастотных приложений.Будучи временем, оно остается активным, когда ненужнее, схемы могут поддерживать грозную эффективность и производительность.Сравнимы с передовыми автомобильными тормозными системами, которые быстро реагируют на команды драйверов.Балансирование низкого использования мощности со звездной производительностью становится центром внимания.Архитектурная изящество 2N2369 облегчает это, что делает его отличным выбором для портативной электроники, где долговечность аккумулятора является преимущественной проблемой.Быстрое переключательное мастерство 2N2369 важно в высокоскоростных цифровых рамках, таких как сигнальные процессоры и преобразователи данных.

На рисунке ниже показана внутренняя схематическая диаграмма транзистора NPN, изображающая соединения между основой (B), коллекционером (C) и эмиттером (E).

2N2369 Конфигурация контакта

2N2369 Символ и след

2N2369 Технические спецификации

Технические характеристики, характеристики и параметры корпорации Microsemi 2n2369a, наряду с компонентами, которые имеют сходные спецификации.

Тип	Параметр
Статус жизненного цикла	В производстве (последний обновлен: 1 месяц назад)
Контакт	Свинец, олово
Монтажный тип	Через дыру
Количество булавок	3
Напряжение разбивки коллекционера-эмиттер	15 В
Рабочая температура	-65 ° C ~ 200 ° C TJ
Опубликовано	2002
PBFREE CODE	нет
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (неограниченный)
Код ECCN	Ear99
Максимальная диссипация власти	360 МВт
Терминальная форма	ПРОВОЛОКА
Конфигурация	ОДИНОКИЙ
Время выполнения завода	12 недель
Устанавливать	Через дыру
Пакет / корпус	До 206aa, до 18-3 металла банка
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов	1
Упаковка	Масса
Код JESD-609	E0
Статус частично	Активный
Количество терминаций	3
Терминальная отделка	Оловянный свинец
Терминальная позиция	НИЖНИЙ
Подсчет штифтов	3
Рассеяние власти	360 МВт
Случайный соединение	Коллекционер
Полярность/Тип канала	Npn
Напряжение излучателя коллекционера (VCEO)	15 В
DC ток усиление (HFE) (min) @ IC, VCE	20 @ 100ma 1V
Частота перехода	500 МГц
Напряжение базового излучения (Vebo)	4,5 В.
Коллекционер-базовая емкость-макс	4pf
Статус ROHS	Не совместимый с ROHS
Приложение транзистора	Переключение
Тип транзистора	Npn
Макс Коллекторный ток	400 мА
Vce saturation (max) @ ib, ic	450 мВ @ 10ma, 100 мА
Базовое напряжение коллекционера (VCBO)	40 В
VCESAT-MAX	0,45 В.
Радиационное упрочнение	Нет
Свободно привести	Содержит свинец

Особенности 2N2369

• Тип: Биполярный NPN транзистор, подходит для универсальных применений.

• Макс Коллекторный ток: 200 мА, поддерживающие умеренные электрические нагрузки.

• Напряжение разбивки коллекционера-эмиттер: 15 В, идеально подходит для низко-средней энергетической проектов.

• Напряжение насыщения (VCE): 450 мВ, обеспечение энергоэффективного переключения.

• Приложения: Используется в амплификации сигнала, управлении с малым мотором и высокоскоростной переключением.

• Производительность: Быстрое время отклика повышает эффективность схемы в сценариях быстрого переключения.

• Инженерные преимущества: Уравновешивает теоретические характеристики с надежностью для точных цепей.

• Гибкость: Адаптируется для инновационных дизайнов в сегодняшнем развивающемся технологическом ландшафте.

• Ключевые сильные стороны: Эффективность, адаптивность и пригодность для современных инженерных задач.

Приложения 2N2369

Высокоскоростная переключение

2N2369, известный своими быстрыми возможностями переключения и низким напряжением насыщения и насыщенности коллекционера, превосходит в контексте высокоскоростных переключений.Он действует как бесшовный интерфейс между приводами с низким энергопотреблением и управляющими цепями.Этот переход обеспечивает постоянную надежность для чувствительных ко времени задач, повышая надежность системы.Такая надежность высоко ценится как в коммерческих, так и в промышленных условиях.

Усиление сигнала

2N2369 является предпочтительным компонентом в аудио и радиочастотах, требующих низкого усиления шума.Его использование в усилителях повышает ясность звука и верность сигнала.Другие полагаются на этот транзистор, чтобы поддерживать целостность сигнала на расстояниях, достигая деликатного баланса между спецификациями и практическим использованием.Это отражает постоянные достижения в области аудио и коммуникационных технологий, где ясность имеет значение.

Приложения в цифровых и аналоговых системах

2N2369 широко интегрируется в современные цифровые и аналоговые системы из -за его способности управлять различными уровнями тока и напряжения.Это важный компонент в сложных системах, таких как цифровые процессоры сигнала и микроконтроллеры.Эти компоненты, разработанные с точностью, позволяют системам выполнять расчеты как быстро, так и точно.Повышенные улучшения влияют на производительность, подчеркивая тщательные конструктивные соображения в электротехнике.

Влияние на вычисления и телекоммуникации

В областях вычисления и телекоммуникации 2N2369 является неотъемлемой частью основной архитектуры, которая лежит в основе обработки и передачи данных.Его вклад важен для оптимизации использования мощности и увеличения скорости обработки для достижений вычислений следующего поколения.Хотя повышение эффективности может показаться скромным индивидуальным, при применении в сети, они приводят к заметным достижениям, иллюстрируя обширное влияние подробных инженерных улучшений.

Заменители транзистора 2N2369

• 2N2221

• 2N2222

• BC378

• BC378-6

• BC378-7

Альтернативы 2N2369

Часть	Сравнивать	Производители	Категория	Описание
Jan2n2369a	Текущая часть	Микросоми	Bjts	Trans GP BJT NPN 15V 360 МВт 3PIN до 18
Jantx2n2369a	Jan2n2369a против Jantx2n2369a	Микросоми	Bjts	Trans GP BJT NPN 15V 360 МВт 3PIN до 18
Jans2n2369a	Jan2n2369a против jans2n2369a	Микросоми	Bjts	До 18 NPN 15V
2n2369a	Jan2n2369a против 2N23699aleadfree	Центральный полупроводник		До 18 NPN 15 В 0,2а

Размеры упаковки на 2N2369

2N2369 Информация о производителе

Microsemi Corporation сияет в разработке сложных полупроводниковых и системных решений, разработанных для таких секторов, как аэрокосмическая, защитная, коммуникационная и обработка данных.Их инновационный дух очевиден в сложности их высокопроизводительных интегрированных цепей (ICS), передовых инструментов управления питанием и беспрецедентных безопасных сетевых решений.Акцент Microsemi на высокопроизводительных ICS подчеркивает их приверженность удовлетворению технических требований современной электроники.Эти ICS формируют для систем, нуждающихся в точности и надежности, особенно в аэрокосмических и оборонных условиях, где риски отказа могут быть существенными.Улучшения в эффективности и возможностях коммуникационных сетей также обеспечиваются этими высокопроизводительными ИС, подчеркивая текущие усилия по инновациям.Решения Microsemi по управлению энергетикой играют влиятельную роль в современном энергетическом ландшафте.Предназначенные для максимизации использования энергии, снижения неэффективности и поддержания операционной эффективности, эти инструменты сильно резонируют в условиях, страдающих данными центров обработки данных.Служив более чем технической необходимостью, эффективное управление энергопотреблением предлагает стратегическое преимущество, что приводит к снижению затрат и содействию устойчивой практике, которая приобретает значение в корпоративном планировании.

DataSheet PDF

2N2222 Datahates:

2N22 (18-22) DataHeet.pdf